Entscheidung der US International Trade Commission bestätigt, patentverletzende GaN-Produkte von Innoscience vom US-Markt verbannt

Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den USA zum Kauf angeboten werden.

„Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des geistigen Eigentums von Infineon. Sie bekräftigt unser Engagement, das Patentportfolio von Infineon aktiv zu schützen und fairen Wettbewerb in der Branche zu wahren“, sagt Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei Infineon. „Mit unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung sind wir einzigartig positioniert, um Innovationen zu skalieren. So können wir Leistungs-, Qualitäts- und Kostenvorteile liefern, die unsere Kunden benötigen, um Dekarbonisierung und Digitalisierung weiter voranzutreiben.“

Diese finale Entscheidung der US ITC fügt sich in eine ganze Reihe von Gerichtsentscheidungen zugunsten von Infineon in Bezug auf das GaN-Patentportfolio des Unternehmens ein. In Rechtsstreitigkeiten in Deutschland hatte das Landgericht München I bereits im August 2025, im Juni 2026 und Anfang Juli 2026 festgestellt, dass Innoscience drei Patente und ein Gebrauchsmuster von Infineon verletzt. Die Urteile des deutschen Gerichts untersagen Innoscience den Import, den Verkauf und die Vermarktung patentverletzender Produkte in Deutschland. Darüber hinaus hat das Gericht Innoscience zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.

GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und Elektrofahrzeuge.

Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio. Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die Förderung von Innovationen ein und treibt die Entwicklung von Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation – zu bewältigen.

ÜBER INFINEON

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Felix Sparkuhle, felix.sparkuhle@infineon.com, +49 89 234 38991

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