SkyHigh Memory erweitert seine Single-Level-Cell (SLC) NAND-Flash-Speicherfamilie auf 1xnm-Prozesstechnologie, einem der fortschrittlichsten…
San Jose, Kalifornien (ots/PRNewswire) - Neuer serieller (SPI) NAND der ersten Generation mit 3,0 V und 1 GB - 4 GB Dichte (2 KB/4 KB Seite) sowie paralleler NAND der dritten Generation mit 1 GB - 4 GB Dichte (2 KB Seite), ML-3 Produktfamilie mit erweiterten Sicherheitsfunktionen
SkyHigh Memory Limited, ein weltweit führender Anbieter von eingebetteten Speicherlösungen, erweitert seine Familie von NAND-Flash-Speichern um ML-3-Produkte mit 3,0 V, 1 GB - 4 GB-Dichte, 4 KB-Seite und 2 KB-Seite. Die neuen 1 GB - 4 GB ML-3!-->…